三星電子今日宣布，成功開發首款采用12納米級制程技術的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成兼容性產品評估。
三星表示，技術突破是藉使用新高介電（high-k）材料，以增加單元電容，并進一步改善關鍵電路特性專利設計技術達成。
三星數據顯示，整合先進多層極紫外（EUV）微影曝光技術后，新DRAM擁有三星最高裸片密度（Die density），并可使晶圓生產率提高20%。采用DDR5最新標準，三星12納米級DRAM可提供高達7.2Gbps傳輸速度。能效方面，與上一代三星DRAM產品相較，12納米級DRAM功耗降低約23%。
AMD高級副總裁、企業研究員暨客戶、計算和圖形技術長Joe Macri指出，創新通常需要與產業伙伴密切合作，以推動技術發展。很高興再次與三星合作，特別是推出 Zen 平臺經優化和驗證的 DDR5 內存產品。
三星指出，隨著2023年新款DRAM量產，計劃將采用先進12納米技術的DRAM產品擴展到更廣市場。
